Samsung a da poco avviato la produzione delle nuove memorie NAND Flash con processo produttivo a 51 nanometri. Le memoria NAND flash ci danno un rendimento maggiore del 60% rispetto ai chip prodotti a 60 nanometri.

I nuovi chip da 16Gb sono caratterizzati da una struttura MLC (Multi-Level Cell) che facilitano l'espansione di capacità, permettendo di realizzare schede di memoria da ben 16GB. Oltre ad avere benefici riguardo la capacità, il nuovo processo produttivo permette di incrementare dell'80% le velocità di lettura e scrittura.

Col processo produttivo a 51 nanometri abbiamo una velocità di lettura di 30MB al secondo e una velocità di scrittura di 8MB al secondo, mentre con il processo a 60 nanometri abbiamo una velocità di lettura di 17MB al secondo e una velocità di scrittura di 4MB al secondo.

Fonte: hwupgrade.it