E' stato annunciato da il lancio in commercio, durante la seconda metà del 2007, delle memorie PRAM, phase-change random access memory, da 128Mbit di capacità..

La casa ha infatti dichiarato di aver raggiunto isultati eccezionali nello sviluppo di queste memorie, conquistando cicli di lettura e scrittura sino a 100 milioni di volte, con capacità di memorizzazione superiore a 10 anni senza conseguenze per i dati.

Questo nuovo tipo di memorie sarebbe 500 volte più veloce delle memorie Flash, con un consumo inferiore quasi dela metà. Anche queste memorie, come le Flash, sono di tipo non volatile, però possono essere riscritte un numero potenzialmente infinito di volte.
Io materiale scelto per l'archiviazione dei dati è una lega di Germanio e Antimonio.

Fonte:hwupgrade