Nanya prepare le DDR3 Il produttore di Taiwan prepara le nuove memorie per la fine dell'anno
di Daniele Fantone
Pubblicato il 05/05/2006
Nanya Technology ha dichiarato che la compagnia ha intenzione di consegnare ai propri clienti i primi sample di moduli di memoria DDR3 nella seconda metà dell'anno in corso.
Il nuovo prodotto è stato presentato SemiTech 2006 Taipei.
Sostanziali le differenze dalla versione DDR2,una tensione operativa inferiore (1,5V contro gli 1,8V delle memorie DDR2,l'architettura pre-fetch a 8-bit.Per quanto riguarda le prestazioni le memorie DDR3 sono in grado di realizzare un transfer rate da 800Mbps (DDR3-800) fino a 1600Mbps (DDR3-1600).
Inizialmente i chip saranno realizzati con processo produttivo a 90 nm, mentre nel 2008 (nella fase in cui ci sarà l'adozione di massa) sarà utilizzato il processo produttivo 70 nm.
Nanya Technology ha dichiarato che la compagnia ha intenzione di consegnare ai propri clienti i primi sample di moduli di memoria DDR3 nella seconda metà dell'anno in corso.
